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产品简介:
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IRL540SPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件广泛应用于需要高效开关和功率控制的电子系统中。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器中,实现高效的能量转换和稳定的电压调节。 2. 电机控制:在直流电机驱动器和步进电机控制器中作为开关元件,提供快速响应和良好的负载能力。 3. 照明系统:用于 LED 驱动电路,特别是在高亮度 LED 照明中,实现恒流控制和调光功能。 4. 工业自动化:在工业控制系统中用于继电器替代、负载开关和可编程控制器输出级。 5. 汽车电子:适用于汽车中的电源管理模块、电动窗控制、LED 灯具驱动等场景,满足汽车电子对可靠性和耐温性能的要求。 6. 消费电子产品:如笔记本电脑、电源适配器、智能家电等,用于高效能、小体积的电源设计。 该 MOSFET 采用表面贴装封装(如 DPAK),便于散热和自动化生产,适用于中高功率应用。其逻辑电平栅极驱动特性使其可直接与微控制器或数字电路接口,简化设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAKMOSFET N-Chan 100V 28 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRL540SPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRL540SPBFIRL540SPBF |
Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
Pd-功率耗散 | 3.7 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 77 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 77 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 170 ns |
下降时间 | 80 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 77 毫欧 @ 17A,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRL540SPBF |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |