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Datasheet下载- 型号： IRFH5110TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5110TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5110TRPBF价格参考。International RectifierIRFH5110TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH5110TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH5110TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFH5110TRPBF是一款N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：IRFH5110TRPBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器中，提供高效的功率转换和稳定的电压输出。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制应用，能够实现快速、精确的电流控制，提高电机效率和响应速度。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、电动工具和便携式电子设备的电池管理系统中，用于电池充放电保护和电流调节。 4. 工业自动化：在工业控制领域，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和逆变器中，用于高精度的功率控制和信号切换。 5. 消费电子产品：应用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器等消费类电子产品中，确保高效能和低功耗。 6. 通信设备：用于基站、路由器和其他通信设备中的功率放大器和信号调节模块，支持稳定可靠的通信性能。 7. 汽车电子：在汽车电子系统中，如启动/停止系统、车载充电器和LED照明控制中，提供高可靠性和耐久性。 IRFH5110TRPBF凭借其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，在上述应用中表现出优异的效率和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFH5110TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3152pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.4 毫欧 @ 37A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta）， 63A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5110pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5110pbf.spi |
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