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  • 型号: ZXMN10A09KTC
  • 制造商: Diodes Inc.
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ZXMN10A09KTC产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN10A09KTC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN10A09KTC价格参考。Diodes Inc.ZXMN10A09KTC封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 5A(Ta) 2.15W(Ta) TO-252-3。您可以下载ZXMN10A09KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN10A09KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXMN10A09KTC 是由 Diodes Incorporated 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于各类电子设备中实现电源管理与开关控制功能。该器件具有低导通电阻、高耐压(90V)和良好的热稳定性等特点,适用于需要高效能功率转换的场景。

其典型应用场景包括:

1. 电源管理系统:用于笔记本电脑、平板电脑及移动电源等设备中的负载开关或反向电流保护电路。
2. DC-DC 转换器:在同步整流电路中作为高边开关使用,提高转换效率。
3. 电池供电设备:如便携式电子产品、无人机等,用于电池充放电管理和电源路径控制。
4. 电机驱动与继电器替代:在小型电机控制或固态继电器应用中实现快速开关操作。
5. 工业自动化系统:用于PLC模块、传感器供电控制以及各类工业设备中的电源切换。

该MOSFET采用SOT223封装,散热性能良好,适合表面贴装工艺,广泛应用于中低功率级别的设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 5A DPAKMOSFET MOSFET N-CH 100V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.7 A

Id-连续漏极电流

7.7 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN10A09KTC-

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产品型号

ZXMN10A09KTC

PCN其它

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Pd-PowerDissipation

10.1 W

Pd-功率耗散

10.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5.3 ns

下降时间

12.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1313pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

85 毫欧 @ 4.6A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

ZXMN10A09KCT

典型关闭延迟时间

27.5 ns

功率-最大值

2.15W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

100 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

7.7 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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