Datasheet下载- 型号： SI1013X-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1013X-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1013X-T1-E3价格参考。VishaySI1013X-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1013X-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1013X-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1013X-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件适合用于便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC 转换器、电压调节模块以及各类低电压控制系统中。 由于其小尺寸封装（如 SOT-23），SI1013X-T1-E3 适用于空间受限的设计，常见于智能手机、平板电脑、穿戴设备等消费类电子产品。此外，该 MOSFET 还可用于电机驱动、电源切换和信号路由等场景，在工业控制和通信设备中也有广泛应用。 该型号具有较低的导通电阻（Rds(on)），可在低电压条件下实现高效能操作，有助于减少功率损耗并提高系统效率。同时，其良好的热稳定性和可靠性使其在高温环境下也能保持稳定运行。 总结而言，SI1013X-T1-E3 主要应用于： 1. 便携式电子设备中的电源管理； 2. DC-DC 转换器与电压调节电路； 3. 负载开关与电机控制； 4. 工业与通信系统的低功耗设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1013X-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-89-3 |
| 其它名称 | SI1013X-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA （Ta） |
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