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  • 型号: SI1021R-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI1021R-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1021R-T1-E3价格参考。VishaySI1021R-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI1021R-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1021R-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI1021R-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效开关和电源管理的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携设备中的电源开关和负载管理。  
2. 电池供电系统:用于电池充放电控制电路,实现高效能与低功耗。  
3. DC-DC 转换器:在电源转换模块中作为高频开关元件,提高转换效率。  
4. 负载开关:控制外围设备的电源供应,如 USB 设备、显示屏背光等。  
5. 马达驱动与继电器驱动:用于小型马达或继电器的开关控制,具备良好的热稳定性和耐用性。  
6. 工业控制:在自动化设备与传感器模块中作为开关元件,支持高可靠性和紧凑设计。

该器件采用小尺寸封装(如TSOP),适合高密度 PCB 设计,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制和便携设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI1021R-T1-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

23pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

1.7nC @ 15V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 欧姆 @ 500mA,10V

供应商器件封装

SC-75A

其它名称

SI1021R-T1-E3DKR

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-75A

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

190mA (Ta)

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