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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN040-100MSEX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN040-100MSEX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN040-100MSEX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 30A(Tj) 91W(Tc) LFPAK33。您可以下载PSMN040-100MSEX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN040-100MSEX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN040-100MSEX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET/MOSFET 单管类别。该器件具有低导通电阻(典型值约 4 mΩ)和高耐压(100V),适合在中等电压、大电流条件下高效工作。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,实现高效能量转换; 2. 电机驱动:适用于电动工具、家用电器及工业控制中的小型直流电机或步进电机驱动电路; 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制与保护电路,支持快速响应和低功耗运行; 4. 汽车电子:如车载充电器、LED 照明驱动和车身控制模块,满足车规级可靠性要求; 5. 消费类电子产品:应用于笔记本电脑、显示器和适配器中的负载开关与电源切换功能。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-252),具备优良的散热性能和可靠性,适合自动化贴片生产,尤其适用于对空间和效率有较高要求的设计。凭借 Nexperia 在功率器件领域的技术积累,PSMN040-100MSEX 在能效、热稳定性和成本之间实现了良好平衡,是中高功率应用中的优选器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33MOSFET PSMN040-100MSE/MLFPAK/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN040-100MSEX- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN040-100MSEX |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 91 W |
| Pd-功率耗散 | 91 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 36.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 36.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.3 V |
| 上升时间 | 14.1 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1470pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 36.6 毫欧 @ 10A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 |
| 其它名称 | 568-10232-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 18.7 ns |
| 功率-最大值 | 91W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线) |
| 封装/箱体 | LFPAK33-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tj) |
| 配置 | Single |