Datasheet下载- 型号： IRLL024ZTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL024ZTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL024ZTRPBF价格参考￥1.99-￥7.53。International RectifierIRLL024ZTRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLL024ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLL024ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLL024ZTRPBF 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） IRLL024ZTRPBF 适合用于开关电源中的功率开关器件。由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高效率，适用于 DC-DC 转换器、降压/升压电路等。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，该 MOSFET 可作为电子开关使用。其低导通电阻有助于减少发热，延长设备寿命，并支持高效运行。常见于风扇、泵、家用电器等场景。 3. 负载切换与保护 它可以用于电池管理系统（BMS）中的负载切换和过流保护电路。例如，在锂电池保护板中，IRLL024ZTRPBF 能够快速响应短路或过载情况，切断电流路径以保护电路。 4. 信号放大与驱动 在音频放大器或其他需要高增益的信号驱动应用中，该 MOSFET 可用作功率输出级的一部分，提供稳定的电流输出能力。 5. 汽车电子 由于其出色的电气性能和可靠性，IRLL024ZTRPBF 广泛应用于汽车电子领域，如 LED 灯驱动、雨刷控制、电动车窗升降系统以及燃油喷射系统等。 6. 太阳能微逆变器 在小型光伏系统中，这款 MOSFET 可用于构建微型逆变器的核心开关元件，实现高效的能量转换。 7. 工业自动化 在工业控制系统中，IRLL024ZTRPBF 常被用作继电器替代品，执行固态开关功能，从而提升系统的可靠性和耐用性。 总之，IRLL024ZTRPBF 凭借其低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性，非常适合需要高效能、低损耗的各类电力电子应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223MOSFET MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL024ZTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLL024ZTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | IRLL024ZTRPBF-ND |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 栅极电荷Qg | 11 nC |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 7.5 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 配置 | Single |
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