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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R6-60PS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R6-60PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R6-60PS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN7R6-60PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN7R6-60PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R6-60PS,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性,广泛应用于需要高效功率管理的场景。 该器件主要适用于以下应用场景: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、同步整流器等,用于提高电源转换效率,降低能耗。 2. 负载开关:用于控制电源通断,常见于服务器、工业控制和消费电子产品中。 3. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的控制电路,提供快速开关响应。 4. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、无人机等便携设备中,用于延长电池续航。 5. 汽车电子:如车载充电器、LED照明驱动、电池管理系统(BMS)等场景。 6. 功率放大器:用于音频或射频功率放大电路中,提升输出效率。 其60V耐压、低Rds(on)和TSON123封装,使其在高密度PCB布局和高效率设计中具有优势,适合高频开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 92A TO220ABMOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 92 A |
Id-连续漏极电流 | 92 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R6-60PS,127- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN7R6-60PS,127 |
Pd-PowerDissipation | 149 W |
Pd-功率耗散 | 149 W |
Qg-GateCharge | 38.7 nC |
Qg-栅极电荷 | 38.7 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.6 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.6 V |
上升时间 | 21 ns |
下降时间 | 13 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2651pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38.7nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.8 毫欧 @ 25A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 568-4970-5 |
典型关闭延迟时间 | 37 ns |
功率-最大值 | 149W |
包装 | 管件 |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 92A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |