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  • 型号: FDZ371PZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDZ371PZ产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ371PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ371PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ371PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3.7A(Ta) 1.7W(Ta) 4-WLCSP(1x1)。您可以下载FDZ371PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ371PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的FDZ371PZ是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和良好的热稳定性,适用于对功耗和空间要求较高的便携式电子设备。

FDZ371PZ常用于负载开关、电源管理开关、电池供电设备中的电源控制等场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、移动电源(充电宝)以及各类消费类电子产品中的电压通断控制。由于其P沟道结构,在低边或高边开关应用中能简化驱动电路设计,尤其适合用于高边开关来控制VCC路径的通断。

此外,FDZ371PZ采用小型化封装(如SC-70或SOT-723),节省PCB空间,非常适合高密度布局的便携式设备。其低阈值电压特性也使其能够与3.3V或更低逻辑电平直接兼容,无需额外电平转换电路。

综上,FDZ371PZ广泛应用于需要高效、小型化、低功耗电源开关的场景,是现代消费电子和便携设备中理想的功率开关元件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSPMOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.7 A

Id-连续漏极电流

- 3.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ371PZPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDZ371PZ

Pd-PowerDissipation

1.7 W

Pd-功率耗散

1.7 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

9.1 ns

下降时间

88 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

75 毫欧 @ 2A,4.5V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-WLCSP(1x1)

其它名称

FDZ371PZCT

典型关闭延迟时间

124 ns

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

68.400 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

4-XFBGA,WLCSP

封装/箱体

WL-CSP

工厂包装数量

5000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

14 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.7A (Ta)

系列

FDZ371PZ

通道模式

Enhancement

配置

Single

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