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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU120PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLU120PBF价格参考。VishayIRLU120PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLU120PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLU120PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLU120PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于中低功率的电源管理和负载开关应用。该器件具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高效率电源系统中有效降低功率损耗。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电路中,提高系统效率。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等,用于电源路径管理与电池保护。 3. 电机控制:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件使用。 4. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的电源开关与负载控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明控制等对可靠性要求较高的场景。 该 MOSFET 采用 8-SOIC 封装,适合表面贴装工艺,便于在紧凑型 PCB 设计中使用。由于其良好的热稳定性和可靠性,IRLU120PBF 在消费类电子与工业应用中广泛使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAKMOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLU120PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91324 |
| 产品型号 | IRLU120PBFIRLU120PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 64 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 4.6A,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | *IRLU120PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.7A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |