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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB25P06G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB25P06G价格参考。ON SemiconductorNTB25P06G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTB25P06G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB25P06G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB25P06G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,主要应用于需要高效功率控制的场景。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关,用于高效控制电源通断,提高系统能效。 2. 电池供电设备:广泛用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携设备中,作为高侧或低侧开关,实现对电池充放电的控制。 3. 电机控制:在小型电机驱动电路中用作开关元件,适用于电动工具、风扇和泵类设备的控制。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制、继电器替代方案等,具备良好的稳定性和耐用性。 5. 工业自动化:适用于工业控制模块、PLC和传感器供电管理,提供可靠的开关性能。 该器件具有低导通电阻、高耐压(60V)、封装小巧(如DPAK或DFN)等特点,适合高效率、小体积设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB25P06G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 82 毫欧 @ 25A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 120W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27.5A (Ta) |