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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC2512SDC由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC2512SDC价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC2512SDC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC2512SDC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC2512SDC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC2512SDC 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET器件,常用于电源管理和功率控制领域。其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:适用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效能电源转换系统,提供稳定的电流输出。 2. DC-DC转换器:广泛应用于各类电子设备中的电压调节模块,如服务器、通信设备及工业控制系统,实现高效的能量转换。 3. 负载开关与电源管理:可用于智能电池管理系统、热插拔电路中,作为高速开关元件,控制电源通断,降低功耗。 4. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中用作功率开关,支持快速响应和精确控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动等场景,具备良好的稳定性和可靠性,满足汽车环境对温度和耐压的要求。 该器件具有低导通电阻、高频率响应和小封装尺寸等特点,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小电路体积。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFNMOSFET 25V N-Channel Dual Cool PowerTrench SyncFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 148 A |
Id-连续漏极电流 | 148 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC2512SDCDual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC2512SDC |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 66 W |
Pd-功率耗散 | 66 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.95 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.95 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4410pF @ 13V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 毫欧 @ 27A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PQFN(3.3X3.3),Power33 |
其它名称 | FDMC2512SDC-ND |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 32.130 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | Power 33-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Ta), 40A (Tc) |
系列 | FDMC2512SDC |
配置 | Dual |