Datasheet下载- 型号： SI4488DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4488DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4488DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4488DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4488DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4488DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4488DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池供电设备中的功率开关，提高能效并减少发热。 2. 负载开关：在服务器、笔记本电脑、移动设备等电子产品中作为高侧或低侧开关，控制电源对负载的供给。 3. 马达控制与驱动：用于小型电机、风扇或继电器的开关控制，实现快速响应和低损耗操作。 4. 保护电路：如过流保护（OCP）、欠压锁定（UVLO）和热关断电路中，作为关键开关元件。 5. 工业自动化与通信设备：在工业控制系统和通信模块中用于信号切换与功率调节。 该 MOSFET 采用小型封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于便携式电子设备和高性能计算设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4488DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4488DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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