Datasheet下载- 型号： SI7317DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7317DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7317DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7317DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7317DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7317DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7317DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关控制，提升电源转换效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和移动电源，用于电池充放电管理及电源路径控制。 3. 工业控制系统：在工业自动化设备中作为高边或低边开关，控制电机、继电器或LED照明。 4. 通信设备：用于电信和网络设备中的电源模块，实现高效能电源转换与分配。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统，如车载充电器、ECU电源管理等。 该MOSFET采用小型DFN封装，适合空间受限的设计，同时具备良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SI7317DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 365pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7317DN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 19.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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