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Datasheet下载- 型号： STL7N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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STL7N80K5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL7N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL7N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTL7N80K5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat™（5x6）。您可以下载STL7N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL7N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL7N80K5是一款功率MOSFET器件，属于N沟道增强型晶体管，常用于高电压和中高功率应用场景。该器件具有800V的漏源击穿电压和较高的导通电流能力，适合需要高效能和高可靠性的应用场合。 STL7N80K5的主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于实现高效的能量转换和稳定的电压输出。 2. 电机驱动：适用于工业自动化中的电机控制电路，提供快速开关能力和良好的热稳定性。 3. 照明系统：如LED路灯或工业照明中的高频镇流器或恒流驱动模块。 4. 家电控制：用于洗衣机、空调、电磁炉等家用电器中的功率控制部分。 5. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC转换模块，利用其高耐压和低导通电阻特性提升系统效率。 6. 电动车相关应用：如车载充电器、电池管理系统（BMS）中的功率开关。 该器件采用TO-220或D2PAK等封装形式，便于散热和安装，适用于工业级温度范围，具备良好的稳定性和耐用性。在设计中常用于替代传统的双极型晶体管（BJT），以实现更高的开关速度和更低的驱动损耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 8POWERFLATMOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL7N80K5SuperMESH5™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL7N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 13.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8.3 ns |
| 下降时间 | 20.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 其它名称 | 497-14059-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 23.7 ns |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
| 系列 | STL7N80K5 |
| 配置 | Triple Common Source |
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