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Datasheet下载- 型号： NDB6030PL
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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NDB6030PL产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDB6030PL由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDB6030PL价格参考。Fairchild SemiconductorNDB6030PL封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 30A（Tc） 75W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载NDB6030PL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDB6030PL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDB6030PL 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件常用于需要高效、高速开关性能的电路中，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流器等，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块。 2. 负载开关与电源分配：在电池供电系统中作为负载开关使用，实现对不同模块的电源控制，以提高能效并延长电池寿命。 3. 马达驱动与负载控制：用于直流马达、风扇、继电器等感性负载的驱动电路中，具备良好的导通电阻和耐压能力。 4. 工业自动化与控制系统：在PLC、工业变频器、传感器模块中作为高频开关元件使用。 5. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块（BCM）、LED照明驱动等，因其具有较高的可靠性和工作温度范围，适合车用环境。 NDB6030PL采用先进的Trench MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和优良的热稳定性，适合应用于高效率和高密度电源设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 30A D2PAKMOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 30 A |
| Id-连续漏极电流 | - 30 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor NDB6030PL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NDB6030PL |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 75 W |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | NDB6030PLFSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | NDB6030 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | NDB6030PL_NL |
