Datasheet下载- 型号： FDP19N40
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP19N40由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP19N40价格参考。Fairchild SemiconductorFDP19N40封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP19N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP19N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP19N40 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - FDP19N40 的高电压耐受能力（400V 额定击穿电压）使其非常适合用于开关电源的高压侧开关。 - 常见应用包括 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器以及 PFC（功率因数校正）电路。 2. 电机驱动 - 该器件可用于驱动中小功率的直流电机或步进电机。 - 在电机控制中，FDP19N40 可作为 H 桥电路的一部分，实现电机的正转、反转和调速功能。 3. 逆变器 - FDP19N40 可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中的功率转换部分。 - 其低导通电阻（典型值为 0.55Ω）有助于提高效率，减少功率损耗。 4. 电磁阀和继电器驱动 - 在工业自动化和家电领域，FDP19N40 可用于驱动电磁阀和继电器。 - 它能够承受瞬态高压，并提供稳定的电流输出。 5. 负载切换 - 该 MOSFET 适用于各种负载切换应用，例如汽车电子中的灯泡控制、风扇控制等。 - 其快速开关特性可以有效减少开关损耗和电磁干扰。 6. 保护电路 - FDP19N40 可用作过流保护或短路保护开关。 - 在电池管理系统（BMS）中，它可以防止过载或短路对系统造成损害。 7. 音频放大器 - 在某些功率音频放大器设计中，FDP19N40 可作为输出级的开关元件，提供高效能的声音输出。 总结 FDP19N40 凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。它特别适合于要求高可靠性和低功耗的工业、消费电子及汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 19A TO-220MOSFET UniFET, 400V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP19N40UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP19N40 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 215 W |
| Pd-功率耗散 | 215 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 49 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2115pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 215W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
| 系列 | FDP19N40 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS-200 1／8"BL 48"BX.jpg)
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