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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD19P06-60-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD19P06-60-E3价格参考。VishaySUD19P06-60-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SUD19P06-60-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD19P06-60-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SUD19P06-60-E3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS) - 该型号的MOSFET适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功率损耗,提高电源转换效率。 - 常用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动电源等领域。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中,SUD19P06-60-E3可用于驱动直流无刷电机(BLDC)或步进电机。其快速开关特性和低功耗性能使其适合需要高效运行的电机应用。 - 例如家用电器中的风扇、泵或玩具电机等。 3. 负载开关 - 作为负载开关,该MOSFET可以实现电路的动态开启和关闭,同时保护后级电路免受过流、短路等异常情况的影响。 - 应用于便携式设备(如平板电脑、智能手机)以及汽车电子系统中的电源管理模块。 4. 电池管理系统(BMS) - 在锂电池或其他可充电电池组中,这款MOSFET可用作充放电路径的开关,确保电池安全工作并防止过充或过放。 - 支持电动车、电动工具及储能系统的电池管理功能。 5. 信号切换与隔离 - SUD19P06-60-E3可用于高频信号切换场合,提供高可靠性的电气隔离。例如在通信设备、工业自动化控制系统中,实现不同电压等级之间的信号传输。 6. 逆变器和UPS - 在不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,该MOSFET可作为功率级元件,完成能量转换任务。凭借其优异的热稳定性和耐用性,满足长时间连续工作的需求。 综上所述,SUD19P06-60-E3凭借其高性能参数和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及绿色能源等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252MOSFET 60V 19A 38.5W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18.3 A |
Id-连续漏极电流 | 18.3 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD19P06-60-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUD19P06-60-E3SUD19P06-60-E3 |
Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
Pd-功率耗散 | 2.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 9 ns |
下降时间 | 30 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 2.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18.3A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |