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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT140N10P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT140N10P价格参考。IXYSIXFT140N10P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFT140N10P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT140N10P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT140N10P是一款功率MOSFET晶体管,主要应用于需要高效、高电流和中等电压控制的电力电子系统中。该器件的额定电流为140A,耐压为100V,适合用于高功率密度和高频开关的场合。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS),用于高效能的电压转换,适用于通信设备、服务器电源及工业电源系统。 2. 电机驱动:在直流电机、无刷电机驱动器中作为功率开关,提供快速响应和良好的热稳定性,适用于工业自动化、电动车及机器人控制。 3. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器中,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 电池管理系统:如高功率电池充放电控制电路,适用于储能系统和电动交通工具。 5. 焊接设备与感应加热:在高频焊接与感应加热设备中作为开关元件,具备良好的导通与关断性能。 该MOSFET具备低导通电阻、高雪崩耐量和优异的热性能,适合在恶劣环境下稳定工作,广泛应用于工业控制、新能源及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 140 A |
Id-连续漏极电流 | 140 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT140N10PPolarHV™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFT140N10P |
Pd-PowerDissipation | 600 W |
Pd-功率耗散 | 600 W |
Qg-GateCharge | 155 nC |
Qg-栅极电荷 | 155 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 50 ns |
下降时间 | 26 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 70A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
典型关闭延迟时间 | 85 ns |
功率-最大值 | 600W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 4.500 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHV |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 45 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 140A (Tc) |
系列 | IXFT140N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |