Datasheet下载- 型号： NTD5406NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD5406NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD5406NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD5406NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD5406NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD5406NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD5406NT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： NTD5406NT4G 适用于各种开关电源设计，如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它具有低导通电阻（Rds(on) = 20mΩ @ Vgs=10V），能够高效地进行功率切换，减少能量损耗。 2. 电机驱动： 在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，该 MOSFET 可用作开关元件。它的快速开关特性和低导通电阻使其适合高频 PWM 控制应用。 3. 负载开关： 用于消费电子设备中的负载开关应用，例如手机、平板电脑或其他便携式设备。它可以实现高效的电源管理，支持快速开启/关闭功能，并降低功耗。 4. 电池保护电路： 在锂电池或可充电电池组中，NTD5406NT4G 可用于过流保护、短路保护和充放电控制。其低导通电阻有助于减少电池电流流动时的电压降。 5. 逆变器与 UPS 系统： 在小型逆变器或不间断电源（UPS）系统中，这款 MOSFET 可以作为功率级开关，提供稳定的输出波形并提高效率。 6. 音频放大器： 在 D 类音频放大器中，MOSFET 常被用作输出级开关器件。NTD5406NT4G 的高频率响应和低导通电阻特性非常适合此类应用。 7. 汽车电子： 该 MOSFET 还可用于汽车电子领域，例如车窗升降器、座椅调节器或 LED 照明系统的驱动电路。它具备较高的耐用性和可靠性，适应恶劣的工作环境。 8. LED 驱动器： 在大功率 LED 照明应用中，NTD5406NT4G 可用于恒流源电路，确保 LED 的亮度稳定且能耗较低。 总之，NTD5406NT4G 凭借其出色的电气性能和紧凑的封装（TO-252/DPAK），广泛应用于需要高效功率转换、低功耗以及高可靠性的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 70A DPAKMOSFET NFET 40V HD3E |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
| Id-连续漏极电流 | 70 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD5406NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD5406NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 57 ns, 147 ns |
| 下降时间 | 67 ns, 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 32V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 100W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 19 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 70 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.2A （Ta）， 70A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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