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  • 型号: FQPF6N70
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF6N70由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF6N70价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF6N70封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF6N70参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF6N70 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF6N70 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电力电子设备中。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器,用于高效能电能转换。

2. 电机控制:在直流电机驱动器或无刷电机控制系统中作为功率开关使用,实现对电机速度与方向的精确控制。

3. 照明系统:用于LED照明或高强度放电灯(HID)镇流器中的高频开关操作,提高能效并减小体积。

4. 消费电子产品:如电视、音响设备、充电器等内部电源部分,提供稳定可靠的功率控制功能。

5. 工业自动化设备:用于工业控制模块、继电器替代方案及负载开关电路中,具备高耐压和低导通电阻特性,适合复杂工况下的稳定运行。

该器件具有700V漏源击穿电压、6A连续漏极电流能力,采用TO-220封装,具备良好的热稳定性和耐用性,适合中高功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO-220F

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQPF6N70

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 1.75A,10V

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

48W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

700V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A (Tc)

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