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STD3NM60N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD3NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD3NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTD3NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 3.3A(Tc) 50W(Tc) DPAK。您可以下载STD3NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD3NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD3NM60N是STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS):STD3NM60N具有较低的导通电阻和较高的击穿电压(600V),非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以高效地控制电力转换过程,适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动:这款MOSFET可以用于驱动中小型电机,例如在家电、工业自动化设备或电动工具中。其高耐压特性和良好的开关性能使其能够承受电机启动时的瞬态电流和电压波动。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,STD3NM60N可以用作高频开关元件,将直流电转换为交流电。它的低栅极电荷和快速开关速度有助于提高逆变器的效率。 4. 负载开关:由于其低导通电阻特性,STD3NM60N可以作为高效的负载开关使用,用于控制电路中不同负载的供电状态,同时减少功率损耗。 5. 过流保护电路:利用MOSFET的可控导通特性,STD3NM60N可以集成到过流保护电路中,当检测到异常电流时迅速切断电路,从而保护下游设备免受损害。 6. PFC(功率因数校正)电路:在需要进行功率因数校正的应用场合,如LED照明或家用电器中,STD3NM60N可以作为关键的开关器件,帮助实现更高的能源利用率。 7. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统或便携式电子设备的电池管理中,该MOSFET可用于充放电控制、均衡管理和短路保护等功能。 综上所述,STD3NM60N凭借其优异的电气特性和可靠性,在各种电力电子应用中表现出色,特别是在需要高压、高效和快速响应的场景下。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAKMOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD3NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD3NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 188pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 欧姆 @ 1.65A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-13089-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253680?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Tc) |
| 系列 | STD3NM60N |