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  • 型号: IRLML6302TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRLML6302TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6302TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6302TRPBF价格参考¥0.50-¥0.53。International RectifierIRLML6302TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 780mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML6302TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLML6302TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRLML6302TRPBF是由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、小封装尺寸和高开关速度等特点,因此在多种应用场景中表现出色。以下是其主要的应用场景:

1. 便携式电子设备:由于其低导通电阻(典型值为4.5mΩ@Vgs=10V)和小型化的DFN1012-6封装,IRLML6302TRPBF非常适合用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备中的电源管理电路。

2. 负载开关:在需要快速切换和低功耗的负载开关应用中,这款MOSFET能够提供高效的电流控制,同时保持较低的电压降。

3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,尤其是在电池供电的场景下,其低导通电阻有助于减少能量损耗,提高效率。

4. 电源转换:可用于DC-DC转换器、多相 buck 转换器等电源转换电路中,作为同步整流器的一部分,以提高转换效率并降低热损耗。

5. 保护电路:在过流保护、短路保护等电路设计中,IRLML6302TRPBF可以充当开关元件,快速响应异常情况,保护系统免受损害。

6. 音频放大器:在某些低功率音频放大器设计中,该MOSFET可以用作输出级开关,提供干净的声音输出并减少失真。

总之,IRLML6302TRPBF凭借其优异的电气特性和紧凑的设计,在消费电子、工业控制、通信设备等领域有着广泛的应用前景。选择此器件时,需根据具体应用要求考虑散热设计及外围电路匹配,以确保最佳性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 620 mA

Id-连续漏极电流

- 620 mA

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML6302TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRLML6302TRPBF

Pd-PowerDissipation

0.54 W

Pd-功率耗散

540 mW

Qg-GateCharge

2.4 nC

Qg-栅极电荷

2.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

97pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.6nC @ 4.45V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 610mA,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Micro3™/SOT-23

其它名称

*IRLML6302TRPBF
IRLML6302PBFCT

功率-最大值

540mW

功率耗散

0.54 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

600 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

栅极电荷Qg

2.4 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 620 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

780mA (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlml6302.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlml6302.spi

闸/源击穿电压

12 V

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