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Datasheet下载- 型号： PMZB350UPE,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMZB350UPE,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZB350UPE,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZB350UPE,315价格参考￥0.45-￥2.65。NXP SemiconductorsPMZB350UPE,315封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），3.125W（Tc） DFN1006B-3。您可以下载PMZB350UPE,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMZB350UPE,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMZB350UPE,315 是一款P沟道MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装，适合在空间受限和效率要求高的设计中使用。 主要应用场景包括： 1. 负载开关：用于控制电源系统中的负载切换，如便携式设备的电源管理。 2. DC-DC转换器：适用于高效能的电压转换电路，常见于电源模块和嵌入式系统。 3. 电池管理系统（BMS）：用于保护电池组免受过流或反向电流影响。 4. 电机驱动：在低功率电机控制电路中作为开关元件。 5. 热插拔电路：支持在不关闭系统的情况下插入或移除组件。 6. 工业自动化与控制设备：用于各类工业控制系统中的电源开关和调节。 由于其封装小巧且性能稳定，PMZB350UPE,315也适用于高密度PCB布局设计，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMZB350UPE,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 127pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10449-6 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
