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Datasheet下载- 型号： PMZB350UPE,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMZB350UPE,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZB350UPE,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZB350UPE,315价格参考￥0.45-￥2.65。NXP SemiconductorsPMZB350UPE,315封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1A（Ta） 360mW（Ta），3.125W（Tc） DFN1006B-3。您可以下载PMZB350UPE,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMZB350UPE,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMZB350UPE,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET（单个封装），采用小型无铅 SOT-883（0201 尺寸）超微型封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 350 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9 nC）和低阈值电压（VGS(th) ≈ −0.7 V 至 −1.2 V）。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的负载开关：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中用于控制电源域（如传感器、LED 或无线模块供电），实现低功耗待机与快速启停； 2. 电池供电系统的反向电流保护/电池备份切换：在单节锂电（2.5–5.5 V）系统中，配合充电管理IC构成理想二极管或电源路径管理； 3. 空间受限的DC-DC转换器同步整流（低压侧）：适用于小功率DC-DC（如LDO替代方案或降压转换器次级侧），提升效率； 4. 逻辑电平驱动的低功耗信号切换：兼容1.8 V/3.3 V MCU GPIO直接驱动，用于I/O隔离、复位信号选通等。 该器件强调高集成度与微型化设计，适用于对PCB面积、功耗及响应速度要求严苛的消费类与物联网终端。注意其ID最大仅0.5 A（连续），不适用于大电流场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMZB350UPE,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 127pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 300mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10449-6 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
