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STP3NK80Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP3NK80Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP3NK80Z价格参考¥2.74-¥3.41。STMicroelectronicsSTP3NK80Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 2.5A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP3NK80Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP3NK80Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP3NK80Z 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数:耐压为 800V,连续漏极电流为 3A(在特定条件下),导通电阻较低,且具备快速开关特性。这些特点使其适用于多种高压应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) STP3NK80Z 的高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关器件,例如 AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 在需要高压驱动的小型电机控制中,该 MOSFET 可用于驱动直流电机或步进电机,尤其是在高压启动或制动场景中表现优异。 3. 逆变器应用 用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,作为高频开关元件,实现高效的电能转换。 4. 电磁阀和继电器驱动 高压电磁阀或继电器的驱动电路中,STP3NK80Z 可以安全地承受较高的负载电压,并提供稳定的驱动能力。 5. 过压保护电路 由于其高耐压特性,该 MOSFET 可用于设计过压保护电路,防止下游电子设备因过高电压而损坏。 6. 电池管理系统(BMS) 在高压电池组的充放电管理中,STP3NK80Z 可用作开关元件,控制电池的充放电路径。 7. 照明系统 在 LED 照明或高压气体放电灯(如 HID 灯)的驱动电路中,该 MOSFET 可用于实现高效稳定的电流调节。 8. 家电和工业设备 适用于需要高压开关功能的家用电器(如洗衣机、空调压缩机)或工业设备(如焊接机、加热器等)。 总之,STP3NK80Z 凭借其高耐压和良好的开关性能,广泛应用于需要高压、高效、可靠开关操作的各种电子设备和系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP3NK80ZSuperMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STP3NK80Z |
Pd-PowerDissipation | 70 W |
Pd-功率耗散 | 70 W |
Qg-GateCharge | 19 nC |
Qg-栅极电荷 | 19 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 27 ns |
下降时间 | 40 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 485pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 欧姆 @ 1.25A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | 497-4379-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67374?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
功率-最大值 | 70W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.438 g |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 2.1 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
系列 | STP3NK80Z |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |