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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW14NM65N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW14NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTW14NM65N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW14NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW14NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STW14NM65N是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效功率管理的场合。 应用场景: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块,因其具备高耐压(650V)和良好的导通电阻特性,能有效提升电源转换效率。 2. 电机驱动:可用于工业自动化设备、电动工具及家电中的电机控制电路,提供快速开关和低损耗运行。 3. 照明系统:适用于LED照明驱动电源,尤其在高亮度LED或工业照明中,有助于实现稳定高效的电流控制。 4. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统等,该MOSFET可在逆变电路中作为主开关器件,具备良好的高温稳定性和可靠性。 5. 汽车电子:适用于车载充电系统、DC-DC转换模块及辅助电机控制系统,符合汽车行业对高可靠性和耐环境能力的要求。 STW14NM65N凭借其高电压承受能力、低导通电阻及优良的热性能,适用于多种高效率、高频率的功率转换应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-247MOSFET N-channel 650V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW14NM65NMDmesh™ II |
mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定,Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
数据手册 | |
产品型号 | STW14NM65N |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 20 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-7032-5 |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 600 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | STW14NM65N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |