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Datasheet下载- 型号： IRF5801TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5801TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5801TRPBF价格参考￥1.06-￥3.18。International RectifierIRF5801TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF5801TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5801TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRF5801TRPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且是单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - IRF5801TRPBF常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，作为功率开关器件，实现高效的电压转换。 - 它可以用于降压或升压电路中，提供稳定的输出电压，适用于消费电子、工业设备和通信设备中的电源模块。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，通过快速开关控制电机的启停、速度和方向。 - 在家电领域（如风扇、水泵等）或电动工具中，它能够实现高效的能量传输和精确的电机控制。 3. 负载切换 - 在需要频繁切换负载的场景中，IRF5801TRPBF可以用作电子开关，控制负载的通断。 - 常见应用包括汽车电子（如车窗升降、座椅调节）、家用电器（如照明控制）以及工业自动化设备。 4. 信号放大与处理 - 由于其低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，IRF5801TRPBF适合用于信号放大的场合，例如音频放大器或传感器信号处理电路。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，该MOSFET可用作充电/放电路径的开关，确保电池的安全运行。 - 它还适用于电动汽车（EV）或储能系统中的电池管理模块。 6. 逆变器与太阳能系统 - IRF5801TRPBF可以用于小型逆变器中，将直流电转换为交流电，适用于家庭太阳能发电系统或便携式逆变器。 总结 IRF5801TRPBF凭借其高性能参数（如低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度等），广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、信号处理、电池管理以及逆变器等领域。这些应用场景主要集中在消费电子、工业自动化、汽车电子和可再生能源等行业。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOPMOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5801TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5801TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 3.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 88pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 360mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 其它名称 | IRF5801TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 8.8 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 3.9 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.44 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 600 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf5801.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf5801.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 30 V |
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