Datasheet下载- 型号： RFD16N06LESM9A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD16N06LESM9A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD16N06LESM9A价格参考。Fairchild SemiconductorRFD16N06LESM9A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RFD16N06LESM9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFD16N06LESM9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD16N06LESM9A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种功率电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，实现高效的电压调节。 - 开关电源 (SMPS)：作为主开关管，用于控制功率传输，提高效率并降低损耗。 - 线性稳压器：用作负载开关或旁路元件，优化系统的功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于启动、停止和调速控制，适合玩具、家用电器等应用。 - H 桥电路：在双向电机控制中，作为驱动电路的一部分，提供精确的电流控制。 3. 负载开关 - 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑）中，用作负载开关以实现快速切换和保护功能。 - 提供低导通电阻，减少功率损耗，延长电池寿命。 4. 电池管理 - 电池保护电路：用于防止过流、短路或反向充电等问题。 - 电池充放电控制：在充电器或储能系统中，作为开关元件，确保安全可靠的充放电过程。 5. 信号切换 - 在通信设备或工业控制系统中，用于高速信号切换，支持数据传输和隔离功能。 6. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM)：用于控制车灯、雨刷、座椅调节等功能。 - 车载信息娱乐系统：作为功率开关，支持音频放大器或其他外设的供电管理。 7. 工业自动化 - 传感器接口：用于驱动传感器或执行器，实现精确的信号控制。 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：作为输出驱动元件，控制外部设备的运行。 RFD16N06LESM9A 的典型特性（如低 Rds(on)、高工作频率和小封装尺寸）使其非常适合需要高效功率转换和紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 16A DPAKMOSFET 60V Single |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFD16N06LESM9A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RFD16N06LESM9A |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 90 W |
| Pd-功率耗散 | 90 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V, + 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V, + 10 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 16A，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | RFD16N06LESM9ACT |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Tc） |
| 系列 | RFD16N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | RFD16N06LESM9A_NL |
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