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  • 型号: FDP80N06
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP80N06产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP80N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP80N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDP80N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 176W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP80N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP80N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP80N06 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 60V 的耐压能力、低导通电阻(Rds(on) 典型值为 8.5mΩ @ Vgs=10V)以及高电流处理能力(最大漏极电流 Id 高达 74A),因此适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (Switching Power Supplies)
   - FDP80N06 常用于 DC-DC 转换器和开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关。
   - 它的低导通电阻可以减少传导损耗,提高效率。
   - 适合于降压 (Buck) 或升压 (Boost) 转换器电路。

 2. 电机驱动 (Motor Drive)
   - 适用于小型直流电机或无刷直流电机 (BLDC) 的驱动电路。
   - 在 H 桥或半桥拓扑中用作功率开关,控制电机的正转、反转和速度调节。

 3. 电池管理系统 (Battery Management System, BMS)
   - 用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路。
   - 可以作为电池充放电路径中的开关,实现过流保护、短路保护和负载切换功能。

 4. 负载切换 (Load Switching)
   - 在需要频繁开启或关闭大电流负载的系统中使用。
   - 例如汽车电子设备、工业控制设备或消费类电子产品中的负载管理。

 5. 逆变器 (Inverter)
   - 在小型逆变器中作为功率开关元件,将直流电转换为交流电。
   - 应用于太阳能微逆变器、不间断电源 (UPS) 等场景。

 6. 音频放大器 (Audio Amplifier)
   - 在 D 类音频放大器中用作输出级开关器件。
   - 其低 Rds(on) 和快速开关特性有助于降低功耗并改善音质。

 7. 汽车电子 (Automotive Electronics)
   - 用于汽车启动马达、风扇控制、灯光调节等应用。
   - 符合汽车环境对高温和高可靠性的要求。

 8. 工业自动化 (Industrial Automation)
   - 在工业控制系统中用作固态继电器或功率开关。
   - 例如 PLC 输出模块、传感器接口电路等。

FDP80N06 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域。选择此型号时,需根据具体电路设计要求考虑散热方案和驱动电路设计,以确保其正常工作并发挥最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220MOSFET 60V N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP80N06UniFET™

数据手册

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产品型号

FDP80N06

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

176 W

Pd-功率耗散

176 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

259 ns

下降时间

113 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

74nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 40A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

136 ns

功率-最大值

176W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

10 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

80 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

FDP80N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

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