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  • 型号: FDP80N06
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP80N06产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP80N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP80N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDP80N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 176W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP80N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP80N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220MOSFET 60V N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP80N06UniFET™

数据手册

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产品型号

FDP80N06

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

176 W

Pd-功率耗散

176 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

259 ns

下降时间

113 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3190pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

74nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 40A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

136 ns

功率-最大值

176W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

10 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

80 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

FDP80N06

通道模式

Enhancement

配置

Single

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