ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDP80N06
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDP80N06产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP80N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP80N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDP80N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 176W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP80N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP80N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP80N06 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有 60V 的耐压能力、低导通电阻(Rds(on) 典型值为 8.5mΩ @ Vgs=10V)以及高电流处理能力(最大漏极电流 Id 高达 74A),因此适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (Switching Power Supplies) - FDP80N06 常用于 DC-DC 转换器和开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关。 - 它的低导通电阻可以减少传导损耗,提高效率。 - 适合于降压 (Buck) 或升压 (Boost) 转换器电路。 2. 电机驱动 (Motor Drive) - 适用于小型直流电机或无刷直流电机 (BLDC) 的驱动电路。 - 在 H 桥或半桥拓扑中用作功率开关,控制电机的正转、反转和速度调节。 3. 电池管理系统 (Battery Management System, BMS) - 用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路。 - 可以作为电池充放电路径中的开关,实现过流保护、短路保护和负载切换功能。 4. 负载切换 (Load Switching) - 在需要频繁开启或关闭大电流负载的系统中使用。 - 例如汽车电子设备、工业控制设备或消费类电子产品中的负载管理。 5. 逆变器 (Inverter) - 在小型逆变器中作为功率开关元件,将直流电转换为交流电。 - 应用于太阳能微逆变器、不间断电源 (UPS) 等场景。 6. 音频放大器 (Audio Amplifier) - 在 D 类音频放大器中用作输出级开关器件。 - 其低 Rds(on) 和快速开关特性有助于降低功耗并改善音质。 7. 汽车电子 (Automotive Electronics) - 用于汽车启动马达、风扇控制、灯光调节等应用。 - 符合汽车环境对高温和高可靠性的要求。 8. 工业自动化 (Industrial Automation) - 在工业控制系统中用作固态继电器或功率开关。 - 例如 PLC 输出模块、传感器接口电路等。 FDP80N06 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域。选择此型号时,需根据具体电路设计要求考虑散热方案和驱动电路设计,以确保其正常工作并发挥最佳性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220MOSFET 60V N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP80N06UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDP80N06 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 176 W |
Pd-功率耗散 | 176 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 259 ns |
下降时间 | 113 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3190pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 40A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 136 ns |
功率-最大值 | 176W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 10 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 80 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
系列 | FDP80N06 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |