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Datasheet下载- 型号： IRFS3207ZPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRFS3207ZPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3207ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3207ZPBF价格参考。International RectifierIRFS3207ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc） D²PAK（TO-263）。您可以下载IRFS3207ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3207ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFS3207ZPBF是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道FET类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：IRFS3207ZPBF适用于各种开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）。其低导通电阻特性能够有效降低功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机驱动中，该MOSFET可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节，适合应用于家用电器、电动工具及工业自动化设备中的电机控制系统。 3. 负载切换：用于电池供电系统或汽车电子中的负载切换功能，例如电动车窗、座椅调节器等车载应用场合，确保电路安全可靠地接通或断开负载。 4. 逆变器与太阳能系统：在光伏发电系统的微型逆变器中使用，帮助实现高效的能量转换过程；同时也可以用作保护器件，在异常情况下快速切断电流以保护整个系统。 5. 通信基础设施：如基站功率放大器偏置控制等领域，提供稳定且高效的信号处理能力。 6. 消费类电子产品：包括笔记本电脑适配器、平板充电器以及其他便携式设备内的功率管理单元，支持快速充电技术的同时保持较小的发热量。 总之，凭借其优异的电气性能参数（如极低的Rds(on)值、较高的击穿电压以及较快的开关速度），IRFS3207ZPBF广泛应用于需要高效能、高频率操作的各种工业、商业及消费级产品之中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 A |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3207ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3207ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6920pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 300 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 170 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbssl3207zpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbssl3207zpbf.spi |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
