Datasheet下载- 型号： NTMS4807NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4807NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4807NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4807NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4807NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4807NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4807NR2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：NTMS4807NR2G 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 25mΩ@Vgs=4.5V）使其非常适合用于开关电源中的功率开关，以提高效率并减少能量损耗。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用，能够有效降低功耗并提升系统效率。 - 负载开关：用于便携式设备中的负载开关，实现快速的开启和关闭，同时减少静态电流消耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器（如风扇、水泵）等场景中的直流电机驱动电路，提供高效的开关和保护功能。 - H 桥电路：在需要双向控制的小功率电机应用中，可以与其他 MOSFET 配合构建 H 桥电路。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于锂离子电池或其他可充电电池的充放电保护电路中，防止过流、短路等情况发生。 - 电池切换：在多电池系统中，用作电池切换开关，确保系统的稳定供电。 4. 信号切换与隔离 - 信号路由：在通信设备或工业控制系统中，用于信号路径的选择和切换，保证信号完整性。 - 隔离电路：通过高速开关特性实现输入输出信号的电气隔离。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理模块，例如 USB 充电保护、音频放大器供电等。 - 笔记本电脑：在适配器接口处用作保护开关，防止过流或反向电压损害设备。 - LED 驱动：在 LED 照明应用中，作为恒流源的开关元件，确保 LED 的亮度稳定。 6. 汽车电子 - 车身控制模块 (BCM)：用于车窗升降器、座椅调节器等小功率负载的控制。 - 照明系统：在汽车内外部照明中，用于 LED 灯条的驱动和控制。 总结 NTMS4807NR2G 凭借其低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景。无论是消费类电子产品还是工业设备，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOICMOSFET NFET SO8 30V 14.8A 0.061R |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 12.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMS4807NR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMS4807NR2G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1550 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.55 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 61 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.5 ns |
| 下降时间 | 6.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.1 毫欧 @ 14.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 860mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6.1 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 12.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.1A （Ta） |
| 系列 | NTMS4807N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
