Datasheet下载- 型号： PHB27NQ10T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB27NQ10T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB27NQ10T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB27NQ10T,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB27NQ10T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB27NQ10T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB27NQ10T,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 27 mΩ @ VGS = 10 V）、高雪崩耐量及优良热性能。其额定电压为100 V，连续漏极电流达27 A（Tc = 25°C），适用于中高压、中功率开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器、LED车灯驱动、电机控制（如风扇、水泵驱动）、车身控制模块（BCM）中的负载开关； ✅ 工业电源：开关电源（SMPS）次级同步整流、PFC电路开关管、PLC输出驱动级； ✅ 消费与家电：电动工具电池保护板、无刷直流（BLDC）电机控制器的半桥/全桥下管、智能家电（如空调、洗衣机）的功率负载开关； ✅ 通用电源管理：热插拔电路、电子保险丝（eFuse）、电池管理系统（BMS）中的充放电主控开关。 该器件具备AEC-Q101汽车级认证，支持宽温度范围（–55°C 至 +175°C），具备强抗dv/dt干扰能力与稳健的短路耐受特性，特别适合对可靠性、效率和空间受限要求较高的车载及工业嵌入式系统。其LFPAK封装提供优异散热性与PCB贴装可靠性，便于自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHB27NQ10T,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHB27NQ10T,118 |
| Pd-PowerDissipation | 107 W |
| Pd-功率耗散 | 107 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5940-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 107W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 28 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | /T3 PHB27NQ10T |
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