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  • 型号: FDD1600N10ALZD
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDD1600N10ALZD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD1600N10ALZD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD1600N10ALZD价格参考。Fairchild SemiconductorFDD1600N10ALZD封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252-5。您可以下载FDD1600N10ALZD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD1600N10ALZD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5LMOSFET 100V, 6.8A, 160mOhm N-Channel BoostPak

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.8 A

Id-连续漏极电流

6.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD1600N10ALZDPowerTrench®

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产品型号

FDD1600N10ALZD

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

14.9 W

Pd-功率耗散

14.9 W

Qg-GateCharge

2.71 nC

Qg-栅极电荷

2.71 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

160 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

160 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

2 ns

下降时间

2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

225pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.61nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 3.4A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252

其它名称

FDD1600N10ALZDCT

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

14.9W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD

封装/箱体

DPAK-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

19.6 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.8A (Tc)

系列

FDD1600

通道模式

Enhancement

配置

Single

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