Datasheet下载- 型号： FQU4N20TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU4N20TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU4N20TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU4N20TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU4N20TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU4N20TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU4N20TU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等，作为主开关器件，具备高耐压（200V）和良好导通电阻特性，提升电源效率。 2. 电机驱动：用于直流电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关响应和高电流承载能力，适用于工业自动化设备或电动工具。 3. 逆变器与变频器：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等设备中，用于将直流电转换为交流电，具备良好的热稳定性和耐用性。 4. 负载开关与电源管理：在电池供电设备或智能电表中，作为高效负载开关，控制电源通断，降低静态功耗。 5. 照明系统：如LED驱动电源，用于调节电流或实现PWM调光功能，支持高频率开关操作。 该器件采用TO-252封装，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适合中高功率应用，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU4N20TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 70 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
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