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产品简介:
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HUFA76423P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,适用于多种功率电子应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器等应用,因其高效率和低导通电阻特性,有助于提升电源系统的整体能效。 2. 负载开关:HUFA76423P3可用于控制电源的通断,作为负载开关使用,广泛应用于服务器、工业控制系统和电池供电设备中。 3. 电机控制:在电机驱动电路中,该MOSFET可作为功率开关,适用于小型电机、风扇或泵的控制。 4. 照明系统:包括LED照明驱动电路,用于实现高效、可靠的电源调节和控制。 5. 汽车电子:该器件符合AEC-Q101标准,适用于汽车应用中的功率控制,如车灯控制、电动窗、座椅调节系统等。 6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源管理模块。 该MOSFET采用先进的封装技术,具有良好的热性能和可靠性,适合在高频率和高效率要求的电路中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 35A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | HUFA76423P3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | UltraFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 35A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 85W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Tc) |