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  • 型号: SI7137DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI7137DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7137DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7137DP-T1-GE3价格参考¥9.00-¥17.70。VishaySI7137DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7137DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7137DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SI7137DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,适用于高效的降压或升压DC-DC转换电路。
   - 负载开关:在便携式设备中,SI7137DP可以用作负载开关,控制电路的通断,同时减少功耗和发热。
   - 电池管理系统:用于锂电池保护、充电管理和放电控制,确保电池的安全性和高效性。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于消费电子中的小型直流电机驱动,如风扇、玩具电机等。其低导通电阻有助于提高效率并减少热量产生。
   - H桥电路:可用于构建H桥驱动电路,实现电机的正转、反转及制动功能。

 3. 信号切换
   - 信号路径切换:在多路复用器或多路选择器中,SI7137DP可用作信号路径切换器件,提供低插入损耗和高隔离性能。
   - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换不同的输入源或输出通道,保证信号质量的同时减少失真。

 4. 保护电路
   - 过流保护:通过检测电流大小,结合外部控制电路实现过流保护功能。
   - 短路保护:在某些应用中,可配置为快速响应的短路保护器件,避免系统损坏。

 5. 消费电子与工业设备
   - 智能手机和平板电脑:作为内部电源管理的一部分,用于优化电池寿命和设备性能。
   - 物联网(IoT)设备:在低功耗设计中,SI7137DP适合用于电源切换和信号控制。
   - 工业自动化:在传感器接口、执行器驱动等领域,提供可靠的开关功能。

 总结
SI7137DP-T1-GE3凭借其出色的电气特性和紧凑封装(DFN2020-6),非常适合需要高效、低功耗和小型化设计的应用场景。无论是消费电子产品还是工业设备,这款MOSFET都能提供稳定的性能表现。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8MOSFET -20V 1.95mOhm@10V 60A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

42 A

Id-连续漏极电流

42 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7137DP-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI7137DP-T1-GE3SI7137DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

Qg-GateCharge

183 nC

Qg-栅极电荷

183 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.95 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.95 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

150 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

20000pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

585nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.95 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SI7137DP-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

230 ns

功率-最大值

104W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

95 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

SI71xxDx

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SI7137DP-GE3

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