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  • 型号: FQD3P20TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD3P20TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD3P20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD3P20TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD3P20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD3P20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD3P20TM 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:适用于DC-DC转换器、电池供电设备中的电源开关控制,具备低导通电阻,有助于提高能效并减少发热。

2. 负载开关应用:用于控制如USB端口、外设模块等的电源通断,实现高效、快速的开关操作,保护系统免受过载或短路影响。

3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机、电磁阀等负载控制中作为固态开关使用,具备响应速度快、寿命长的优势。

4. 工业控制与自动化设备:用于工业PLC、传感器模块等设备中,实现对执行机构的可靠控制。

5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中,用于电源管理或外设控制。

该器件采用小型封装,适合对空间有要求的设计,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合多种中低功率应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQD3P20TM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.7 欧姆 @ 1.2A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A (Tc)

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