ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > NJL3281DG
Datasheet下载- 型号： NJL3281DG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJL3281DG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJL3281DG价格参考。ON SemiconductorNJL3281DG封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 260V 15A 30MHz 200W 通孔 TO-264。您可以下载NJL3281DG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJL3281DG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NJL3281DG是一款双极晶体管（BJT），具体为NPN型单晶体管。其应用场景广泛，尤其适合于要求高增益、低噪声和高速开关性能的电路设计。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 音频放大器 NJL3281DG具有低噪声特性，适合用于音频前置放大器或功率放大器中的驱动级。它能够提供稳定的增益，确保音频信号在传输过程中不失真，适用于便携式音频设备、耳机放大器等。 2. 射频（RF）应用 该晶体管的工作频率较高，能够在高频段保持良好的性能，因此适用于射频前端模块中的低噪声放大器（LNA）。它可以有效地放大微弱的射频信号，同时保持较低的噪声系数，提升接收机的灵敏度。 3. 高速开关电路 NJL3281DG具备快速开关特性，适合用于高速开关电路中。例如，在脉宽调制（PWM）控制器、DC-DC转换器等电源管理电路中，它能够快速响应控制信号，实现高效的功率转换。 4. 传感器接口 在传感器接口电路中，NJL3281DG可以作为信号放大器，将传感器输出的微弱信号放大到适合后续处理的电平。例如，在温度传感器、压力传感器等模拟信号采集系统中，它可以提高信号的质量和可靠性。 5. 通信设备 在通信设备中，如无线收发器、蓝牙模块等，NJL3281DG可用于信号放大和调制解调电路。它能够处理高速数据传输中的信号放大任务，确保数据传输的稳定性和准确性。 6. 工业自动化 在工业自动化控制系统中，NJL3281DG可以用于驱动小功率继电器、步进电机等执行元件。它的高增益和快速响应特性使得它在控制回路中表现出色，能够实现精确的控制和反馈。 总的来说，NJL3281DG凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为许多电子设备和系统中的关键组件，尤其是在需要高增益、低噪声和高速响应的应用场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIPO NPN 200W 260V TO-264两极晶体管 - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJL3281DG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJL3281DG |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 1A，10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 75 @ 5A，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 其它名称 | NJL3281DG-ND |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-264-5 |
| 封装/箱体 | TO-264-5 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 15 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 260V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
| 系列 | NJL3281D |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 260 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 260 V |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
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