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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBFJ201由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBFJ201价格参考¥1.41-¥1.43。Fairchild SemiconductorMMBFJ201封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 40V 350mW Surface Mount SOT-23-3。您可以下载MMBFJ201参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBFJ201 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBFJ201是一款N沟道结型场效应晶体管(JFET),属于小信号JFET,广泛应用于模拟电路中。其主要应用场景包括: 1. 低噪声放大器:由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性,MMBFJ201常用于前置放大器、音频放大器等对噪声敏感的电路中,如麦克风前置放大、音响设备信号调理。 2. 模拟开关与调制电路:利用其电压控制特性,可用于模拟信号开关、斩波器或调制解调电路,适用于信号切换和控制场合。 3. 恒流源设计:在精密电流源电路中,MMBFJ201可作为恒流元件,为传感器、LED驱动或其他模拟电路提供稳定电流。 4. 振荡器与函数发生器:因其良好的线性特性和稳定性,可用于RC振荡电路、函数信号发生器等波形生成电路。 5. 高输入阻抗缓冲器:在测量仪器或传感器接口电路中,作为电压跟随器使用,实现阻抗变换,减少信号源负载。 6. 射频(RF)小信号处理:适用于低功率射频放大和信号处理,常见于通信设备前端电路。 MMBFJ201采用SOT-23小型封装,适合空间受限的便携式电子设备,如手机、耳机放大器、便携音频设备等。其性能稳定、功耗低,是模拟电路设计中常用的通用型JFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 40V 350MW SOT23JFET N-Channel Transistor General Purpose |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor MMBFJ201- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBFJ201 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 8 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 300mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 200µA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBFJ201CT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 60 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS(开) | - |
| 系列 | MMBFJ201 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 闸/源截止电压 | - 1.5 V |
| 零件号别名 | MMBFJ201_NL |