ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SIZ920DT-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIZ920DT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ920DT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ920DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ920DT-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 30V 40A 39W，100W 表面贴装 8-PowerPair®（6x5）。您可以下载SIZ920DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIZ920DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SIZ920DT-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 推出的一款双N沟道增强型MOSFET阵列，采用1.8mm × 1.4mm微型DFN封装，适用于空间受限的高密度电路设计。其主要应用场景包括便携式电子设备、电源管理模块和负载开关电路。 在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该器件常用于电池供电路径控制、多路电源切换及负载开关，凭借低导通电阻（RDS(on)）和小封装优势，有效降低功耗与发热，提升能效。此外，其快速开关特性适合用于DC-DC转换器中的同步整流或逻辑控制开关，提高电源转换效率。 SIZ920DT-T1-GE3还广泛应用于热插拔控制器、LED驱动电路和小型电机驱动等场景，得益于其良好的热性能和可靠性，可在紧凑空间内稳定工作。由于支持高电流密度和具备优异的栅极电荷特性，该MOSFET阵列也适合用于需要频繁启停的低电压控制系统。 总体而言，该器件适用于要求高效、小型化和低功耗的消费电子、工业控制和通信设备中，是现代便携式电子产品中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIZ920DT-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.1 毫欧 @ 18.9A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-PowerPair™ |
| 其它名称 | SIZ920DT-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 39W， 100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-PowerPair™ |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A |
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