ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > 2SK3018T106
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3018T106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3018T106价格参考。ROHM Semiconductor2SK3018T106封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3。您可以下载2SK3018T106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK3018T106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SK3018T106是一款N沟道MOSFET,属于小信号场效应晶体管,常用于低功率开关和模拟信号处理场景。该器件具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性等特点,适合在便携式电子设备中使用。 主要应用场景包括:便携式通信设备(如智能手机、无线对讲机)中的电源管理与射频开关电路;消费类电子产品(如平板电脑、数码相机、耳机放大器)中的信号切换与负载驱动;以及各类小型电源系统中的DC-DC转换器驱动电路。此外,2SK3018T106也广泛用于电池供电设备中的低功耗开关控制,例如蓝牙模块、Wi-Fi模组和传感器电源控制等。 由于其采用小型表面贴装封装(如SOT-23或类似),节省PCB空间,适合高密度组装。同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,可在工业环境温度范围内稳定工作,适用于对空间和能效要求较高的应用场合。总体而言,2SK3018T106是一款适用于高频、低电压、低电流环境下的高性能MOSFET,广泛服务于消费电子、便携设备和通信模块等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor 2SK3018T106- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3018T106 |
| Pd-PowerDissipation | 200 mW |
| Pd-功率耗散 | 200 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 欧姆 @ 10mA,4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | 2SK3018T106CT |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |