Datasheet下载- 型号： IRF710SPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF710SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF710SPBF价格参考。VishayIRF710SPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF710SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF710SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF710SPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括： 1. 开关电源：IRF710SPBF的高电压耐受能力（最大漏源极电压为400V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如DC-DC转换器和AC-DC适配器。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于控制小型直流电机或步进电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻（Rds(on)在10V栅极驱动下约为3.6欧姆）有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器电路：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRF710SPBF可以用作高频开关元件，将直流电转换为交流电。 4. 负载切换：由于其出色的开关性能和耐压能力，这款MOSFET适用于需要可靠地接通和断开高电压负载的应用，如汽车电子设备或工业控制系统。 5. 保护电路：可以用于过流保护、短路保护等场景，通过快速响应切断异常电流路径，从而保护下游电路免受损害。 6. 音频放大器：在某些功率音频放大器设计中，IRF710SPBF可用作输出级器件，提供足够的电流以驱动扬声器负载。 7. 脉宽调制(PWM)控制器：利用其高速开关特性，在PWM信号生成与处理方面表现出色，适用于LED驱动、加热元件控制等领域。 总之，IRF710SPBF凭借其高耐压值、良好的开关特性和较低的导通电阻，广泛应用于各种需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 2A D2PAKMOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF710SPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91042 |
| 产品型号 | IRF710SPBFIRF710SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9.9 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF710SPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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