Datasheet下载- 型号： BUK7Y12-55B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y12-55B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y12-55B,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y12-55B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7Y12-55B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7Y12-55B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK7Y12-55B,115 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源适配器、电池管理系统等，因其导通电阻低、开关损耗小，能有效提升能效。 2. 电机控制：在电动工具、电动车、工业自动化设备中，用于控制电机的启停与转速调节。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如照明系统、加热元件等。 4. 汽车电子：适合车载电源系统、车载充电器、车身控制模块等场景，具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 工业控制：广泛应用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业设备中，作为高频开关元件使用。 该器件采用标准封装（如DPAK或类似），便于散热和安装，适合在中等功率应用中使用。其55V的漏源电压和12A的连续漏极电流能力，使其在多种电源转换和控制场景中具有良好的性能表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7Y12-55B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2067pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5514-1 |
| 功率-最大值 | 105W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 61.8A （Tc） |
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