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  • 型号: PSMN2R4-30YLDX
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PSMN2R4-30YLDX产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R4-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R4-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R4-30YLDX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN2R4-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R4-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN2R4-30YLDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):适用于各种开关模式电源的设计,如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。
   - 负载开关:用于控制电路中的电流流动,广泛应用于消费电子设备中,如智能手机和平板电脑。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:可用于驱动风扇、泵或其他小型电机。其高电流承载能力和快速开关速度使其适合这类应用。
   - H桥电路:在需要双向控制的电机应用中,MOSFET 可作为 H 桥的一部分,实现正转和反转功能。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:用于锂电池或铅酸电池的充放电保护电路中,防止过流、短路或过热等问题。
   - 电量监测:通过精确控制电流流动,帮助监测电池状态并优化能量使用。

 4. 工业自动化
   - 继电器替代:在工业控制系统中,MOSFET 可以替代传统机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。
   - 信号放大与隔离:用于工业传感器信号的放大和隔离,确保信号传输的稳定性和可靠性。

 5. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车灯控制、座椅加热、空调系统等,需要高效且可靠的功率开关器件。
   - 新能源汽车 (EV/HEV):在低压系统中,MOSFET 可用于电池管理、逆变器辅助电路和其他关键部件。

 6. 消费电子产品
   - 音频功放:在便携式音响或耳机放大器中,MOSFET 能够提供高效的功率输出。
   - LED 驱动:用于驱动高亮度 LED 灯具,确保亮度调节和能耗优化。

 特性优势
- 低导通电阻:降低功耗,提升整体效率。
- 高电流能力:支持大功率应用。
- 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频电路。
- 紧凑封装:节省空间,便于小型化设计。

综上所述,PSMN2R4-30YLDX 广泛应用于各类需要高效功率切换和控制的场景,尤其适合对性能和可靠性要求较高的领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,4.5V 驱动

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R4-30YLDX-

mouser_ship_limit

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产品型号

PSMN2R4-30YLDX

Pd-PowerDissipation

106 W

Pd-功率耗散

106 W

Qg-GateCharge

31.3 nC

Qg-栅极电荷

31.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

2.2 V

Vgs-栅源极击穿电压

2.2 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

27.5 ns

下降时间

13.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2256pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-11375-6

典型关闭延迟时间

17.4 ns

功率-最大值

106W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

封装/箱体

LFPAK33-4

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nextpowers3-mosfets/52333

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tmb)

通道模式

Enhancement

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