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PSMN2R4-30YLDX产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R4-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R4-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R4-30YLDX封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN2R4-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R4-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R4-30YLDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):适用于各种开关模式电源的设计,如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 - 负载开关:用于控制电路中的电流流动,广泛应用于消费电子设备中,如智能手机和平板电脑。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:可用于驱动风扇、泵或其他小型电机。其高电流承载能力和快速开关速度使其适合这类应用。 - H桥电路:在需要双向控制的电机应用中,MOSFET 可作为 H 桥的一部分,实现正转和反转功能。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:用于锂电池或铅酸电池的充放电保护电路中,防止过流、短路或过热等问题。 - 电量监测:通过精确控制电流流动,帮助监测电池状态并优化能量使用。 4. 工业自动化 - 继电器替代:在工业控制系统中,MOSFET 可以替代传统机械继电器,提供更快的响应速度和更长的使用寿命。 - 信号放大与隔离:用于工业传感器信号的放大和隔离,确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车灯控制、座椅加热、空调系统等,需要高效且可靠的功率开关器件。 - 新能源汽车 (EV/HEV):在低压系统中,MOSFET 可用于电池管理、逆变器辅助电路和其他关键部件。 6. 消费电子产品 - 音频功放:在便携式音响或耳机放大器中,MOSFET 能够提供高效的功率输出。 - LED 驱动:用于驱动高亮度 LED 灯具,确保亮度调节和能耗优化。 特性优势 - 低导通电阻:降低功耗,提升整体效率。 - 高电流能力:支持大功率应用。 - 快速开关速度:减少开关损耗,适合高频电路。 - 紧凑封装:节省空间,便于小型化设计。 综上所述,PSMN2R4-30YLDX 广泛应用于各类需要高效功率切换和控制的场景,尤其适合对性能和可靠性要求较高的领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R4-30YLDX- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN2R4-30YLDX |
Pd-PowerDissipation | 106 W |
Pd-功率耗散 | 106 W |
Qg-GateCharge | 31.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 31.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.2 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 2.2 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
上升时间 | 27.5 ns |
下降时间 | 13.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2256pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-11375-6 |
典型关闭延迟时间 | 17.4 ns |
功率-最大值 | 106W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | LFPAK33-4 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nextpowers3-mosfets/52333 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |
通道模式 | Enhancement |