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Datasheet下载- 型号： PSMN2R4-30YLDX
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN2R4-30YLDX产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R4-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R4-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R4-30YLDX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN2R4-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R4-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R4-30YLDX 是 Nexperia 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 2.4 mΩ @ VGS = 10 V，4.7 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（ID 高达 120 A）及优异的热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 高效率DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流、POL（负载点）转换器和VRM模块，低RDS(on)显著降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电动工具与电池供电设备：支持12–24 V电池系统，逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU GPIO）简化栅极驱动设计，适用于无刷电机控制中的半桥/全桥功率开关。 ✅ 工业电机驱动与PLC输出模块：具备高雪崩耐量（UIS额定）、强抗dv/dt能力及AEC-Q101认证（该型号为工业级，部分批次符合车规要求），适用于严苛工控环境。 ✅ LED照明驱动与电子负载：快速开关特性（trise/tfall 约10 ns级）配合低Qg，适合高频PWM调光与恒流控制。 其LFPAK56封装兼具SO-8引脚兼容性与远优于传统DPAK的散热性能，便于PCB布局与量产装配。综上，该器件特别适用于对效率、功率密度、可靠性和驱动简易性有较高要求的中高功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R4-30YLDX- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R4-30YLDX |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| Qg-GateCharge | 31.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 2.2 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
| 上升时间 | 27.5 ns |
| 下降时间 | 13.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2256pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-11375-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 17.4 ns |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/nextpowers3-mosfets/52333 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
