Datasheet下载- 型号： SI4102DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4102DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4102DY-T1-E3价格参考。VishaySI4102DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4102DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4102DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4102DY-T1-E3 是一款 N 沫极低电压功率 MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 便携式电子设备 - 锂电池管理：用于电池保护电路、充电控制和放电路径中的开关。 - 负载开关：在智能手机、平板电脑等设备中，作为负载开关以实现快速开启/关闭功能模块，降低待机功耗。 - DC-DC 转换器：适用于降压或升压转换器中的同步整流，提升效率并减少热量产生。 2. 消费类电子产品 - 音频放大器：用作输出级开关，提供高保真音频信号传输。 - 电源管理单元 (PMU)：在电视、机顶盒等产品中，用于电源分配和动态电压调节。 3. 通信设备 - 网络路由器/交换机：在电源模块中作为开关元件，支持高效的能量转换。 - 基站功率放大器：用于辅助电路中的开关操作，确保稳定运行。 4. 工业控制 - 电机驱动：控制小型直流电机的启停及速度调节。 - 继电器替代方案：利用其快速开关特性取代传统机械继电器，提高可靠性。 5. 汽车电子 - 车身控制系统：如车窗升降器、座椅加热器等低压应用。 - LED 照明驱动：为车内 LED 灯条提供精确电流控制。 SI4102DY-T1-E3 的特点（如低 RDS(on)、小封装尺寸）使其非常适合空间受限且对能效要求较高的场合。此外，它还能承受一定的瞬态电压冲击，增强了系统稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4102DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 158 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 4.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
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