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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF1010NLPBF的MOSFET,属于N沟道功率MOSFET,常用于高效率、高频率的开关应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,有助于提高电源效率并减少发热。 2. 电机控制:可用于直流电机驱动器、步进电机控制器等工业自动化设备中,作为高速开关元件,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 汽车电子:由于其具备良好的热稳定性和可靠性,适用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)、车灯控制模块等汽车应用场景。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑电源管理模块、LED照明驱动电路等,因其封装小巧、开关速度快,适合空间受限的便携设备。 5. 工业控制与自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器、UPS(不间断电源)等设备中,作为关键的功率开关元件。 6. 电池管理系统(BMS):在电池充放电管理电路中,用作高边或低边开关,实现对电池状态的精确控制与保护。 总结来说,IRF1010NLPBF适用于需要高效能、高频切换和稳定可靠性的功率电子系统,广泛应用于工业、汽车、消费类电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 55V 85A TO-262 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF1010NLPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3210pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 43A,10V |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRF1010NLPBF |
功率-最大值 | 180W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 85A (Tc) |