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  • 型号: FDS3590
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS3590由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS3590价格参考。Fairchild SemiconductorFDS3590封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS3590参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS3590 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDS3590 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块,提高能效并减小体积。  
2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载通断,如笔记本电脑、平板和智能手机。  
3. 电机驱动:在小型电机或步进电机控制电路中作为开关元件,实现高效调速与制动。  
4. 汽车电子:用于车载充电系统、LED照明控制及传感器供电管理,满足车规级可靠性需求。  
5. 工业自动化:如PLC(可编程逻辑控制器)中的信号切换与功率输出控制。  

该器件具有低导通电阻、高开关速度和耐压能力强的特点,适合中高功率密度设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOICMOSFET SO-8 N-CH 80V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.5 A

Id-连续漏极电流

6.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS3590PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDS3590

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

32 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1180pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

39 毫欧 @ 6.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

FDS3590-ND
FDS3590TR

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

25 S

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.5A (Ta)

系列

FDS3590

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

FDS3590_NL

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