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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NTLGF3501NT2G是一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流电路和电压调节模块(VRM),因其低导通电阻(RDS(on))可减少功耗,提高能效。 2. 负载开关与电源开关:常用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的电源路径控制,实现对不同功能模块的上电/断电管理,降低待机功耗。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件,控制电流通断,适用于消费类电器和工业控制设备。 4. LED驱动:用于LED照明系统的开关控制,支持脉宽调制(PWM)调光,具备快速开关响应能力。 5. 热插拔电路:在支持热插拔的电源系统中,用于防止浪涌电流,保护后级电路。 6. 电池供电设备:因具有低阈值电压和高效率特性,适合用于笔记本电脑、移动电源等对能效和空间要求较高的设备。 该器件采用紧凑型封装(如TSOP-6或DFN),便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性,适合工业级温度范围工作。总体而言,NTLGF3501NT2G适用于中低功率、高效率的开关应用,是现代电子设备中理想的功率开关选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTLGF3501NT2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | FETKY™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 3.4A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-DFN(3x3) |
功率-最大值 | 1.14W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A (Ta) |