Datasheet下载- 型号： PSMN011-30YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN011-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN011-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN011-30YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN011-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN011-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN011-30YLC,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单类型。该型号的具体应用场景如下： 1. 电源管理 - PSMN011-30YLC,115 适用于各种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）、负载开关和电池管理系统（BMS）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，这款 MOSFET 可用作开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。它适合用于风扇、泵、家用电器（如吸尘器或洗衣机）中的无刷直流电机（BLDC）驱动。 3. 消费电子设备 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的充电电路和电源管理模块中。其紧凑的封装形式（LFPAK88-8）非常适合对空间要求较高的消费电子产品。 4. 工业自动化 - 在工业控制领域，可用于继电器驱动、电磁阀控制和其他需要高效开关的场合。其耐压能力（30V）和高电流处理能力（最大 115A 脉冲电流）使其成为工业应用的理想选择。 5. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，PSMN011-30YLC,115 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、电动座椅控制以及雨刮器系统等。其出色的可靠性和耐用性满足了汽车级应用的需求。 6. 通信设备 - 在通信基础设施中，如基站电源、路由器和交换机的电源模块，该 MOSFET 可提供高效的功率转换和稳定的性能。 7. 可再生能源 - 在太阳能逆变器的小型化设计中，这款 MOSFET 可用于功率转换电路，帮助实现更高的能量转换效率。 总结 PSMN011-30YLC,115 的主要优势在于其低导通电阻（典型值为 0.85mΩ）、高电流承载能力和紧凑封装，适用于需要高效功率转换和小尺寸设计的各种应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子，这款 MOSFET 都能提供可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 37A LL LFPAKMOSFET N-CH 30 V 11.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN011-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN011-30YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 29 W |
| Pd-功率耗散 | 29 W |
| Qg-GateCharge | 4.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 641pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.6 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-8526-1 |
| 功率-最大值 | 29W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37A （Ta） |
| 配置 | Single |
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