Datasheet下载- 型号： IRF6201PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6201PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6201PBF价格参考￥2.89-￥3.08。International RectifierIRF6201PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6201PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6201PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6201PBF的器件属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别，是一款高性能的N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理与转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，适用于计算机电源、服务器电源及工业电源系统。 2. 电机控制与驱动电路：用于直流电机、无刷电机的驱动模块，提供高效的开关控制能力。 3. 负载开关与继电器替代应用：在自动化控制系统中作为电子开关使用，实现对负载的快速通断控制。 4. 电池管理系统（BMS）：在新能源汽车、储能系统中用于电池充放电控制和保护电路。 5. 照明系统：如LED照明驱动电路，实现高效能调光与恒流控制。 IRF6201PBF具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力和优异的热稳定性，适合高频开关应用，是工业控制、消费电子和汽车电子等领域中的常用功率器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 27A SO-8MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6201PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6201PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.5 V to 1.1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.5 V to 1.1 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 265 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8555pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 195nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.45 毫欧 @ 27A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 320 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.45 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 130 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 27 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf6201pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf6201pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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